事件相關(guān)誘發(fā)腦電位物理知識
事件相關(guān)(誘發(fā))腦電位(event-relatedbrainpotentialERP)
與聲音、閃光、觸擊等刺激相應的頭皮電位變化，也稱誘發(fā)電位(evokedpotential,EP)。它比自發(fā)腦電位EEG，幅度要小得多，只有幾微伏，頻率通常在0.02Hz～40kHz。誘發(fā)電位ERP有多種，如聽覺誘發(fā)電位AEP、視覺誘發(fā)電位VEP、體感誘發(fā)電位SEP和認知誘發(fā)電位CEP等。ERP的潛伏期小于80ms的外生分量主要與刺激的物理、物理參數(shù)有關(guān);而潛伏期大于80ms的.內(nèi)生分量，則取決于心理過程。外生分量可用于尋找腦內(nèi)產(chǎn)生器和感覺皮層定位及臨床診斷與腦有關(guān)的神經(jīng)科疾病;內(nèi)生分量則可用于腦思維活動的研究。
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